吉林华微电子申请肖特基二极管及其制作方法专利，提高耐静电电压能力

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“肖特基二极管及其制作方法”的专利，公开号 CN 119364780 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种肖特基二极管及其制作方法，方法包括：提供一衬底；在衬底的表面形成外延层；在外延层远离衬底的表面形成氧化层；蚀刻氧化层，形成第一窗口；通过第一窗口注入硼离子，形成位于外延层远离衬底的一侧的第一类型保护环；蚀刻氧化层，形成第二窗口，通过第二窗口进行势垒金属溅射，形成势垒层；在外延层远离衬底的一侧形成第三窗口；通过第三窗口注入硼离子，形成至少部分与第一类型保护环重合且与势垒层相切的第二类型保护环；在势垒层及靠近势垒层的氧化层上制作第一金属层，并在衬底远离外延层的一侧制作第二金属层。通过在形成势垒层后增加第二类型保护环，能够改善边缘电场，提高耐静电电压能力，并且不提高正向压降。

天眼查资料显示，吉林华微电子股份有限公司，成立于1999年，位于吉林市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本96029.5304万人民币，实缴资本21432万人民币。通过天眼查大数据分析，吉林华微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目41次，知识产权方面有商标信息8条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界